Flash存儲(chǔ)器（Flash Memory）是一種非易失性內(nèi)存器件，斷電后可長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)。其主要分為NOR和NAND兩類技術(shù)：Norflash由Intel于1988年推出，支持直接執(zhí)行代碼，讀取速度快，適用于嵌入式系統(tǒng)等小容量代碼存儲(chǔ)場(chǎng)景；NAND Flash由dongzhi于1989年提出，存儲(chǔ)密度高、，擦寫速度快，適用于（SSD）、U盤等大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域.

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冉半導(dǎo)體（Puya）作為中國(guó)的芯片供應(yīng)商，專注于低功耗、高性的SPI NOR Flash和IC EEPROM芯片的研發(fā)與制造。其產(chǎn)品采用的SONOS和ETOX雙工藝架構(gòu)，覆蓋從512Kbit到128Mbit的容量范圍，支持1.65V-3.6V的操作電壓，具備低功耗、快速擦除與讀取等性能優(yōu)勢(shì)，并通過AEC-Q100車規(guī)認(rèn)證，適用于汽車電子等高性場(chǎng)景。憑借多樣化的封裝形式和表現(xiàn)，普冉的NOR Flash廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)控制和5G基站等領(lǐng)域，滿足不同客戶的需求。在NOR Flash市場(chǎng)中，普冉半導(dǎo)體近年來表現(xiàn)亮眼。2024年季度，公司營(yíng)收達(dá)到13.66億元，同比增長(zhǎng)78.13%。憑借技術(shù)和市場(chǎng)拓展的雙重驅(qū)動(dòng)，普冉已成為行業(yè)的重要力量，并有望在未來實(shí)現(xiàn)多突破。